Hochbegabungspresse
Jülich,
31. Juli 2013 – Nichtflüchtige magnetische Speicher, MRAMs, gelten als
vielversprechende Alternative zu vorherrschenden, elektrischen DRAMs oder
SRAMs. Ein neu beschriebener physikalischer Effekt, das „Spin-Bahn-Drehmoment“,
könnte dazu beitragen, ihre Effizienz zu steigern und das Auslesen und
Einschreiben der Daten zu vereinfachen. Das Ergebnis eines internationalen
Forscherteams wurde in der renommierten Fachzeitschrift „Nature Nanotechnology“
veröffentlicht.
Die
vollständige Pressemitteilung und Bildmaterial finden Sie unter:
Weitere
Informationen:
Zur
Pressemitteilung: www.fz-juelich.de
Institutsbereich
„Quanten-Theorie der Materialien“ (PGI-1/IAS-1): www.fz-juelich.de/pgi/pgi-1/DE/Home/
Nachwuchsgruppe
„Topologische Nanoelektronik“: http://www.fz-juelich.de/pgi/pgi-1/DE/Forschung/NachwuchsgruppeMokrousov/artikel.html
Ansprechpartner:
Dr. Frank
Freimuth, Quanten-Theorie der Materialien (PGI-1/IAS-1), Forschungszentrum
Jülich, Tel 02461 61-1608, E-Mail: f.freimuth@fz-juelich.de
Pressekontakt:
Angela
Wenzik, Wissenschaftsjournalistin, Forschungszentrum Jülich,
Tel. 02461 61-6048, E-Mail: a.wenzik@fz-juelich.de
Tel. 02461 61-6048, E-Mail: a.wenzik@fz-juelich.de